参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSZ086P03NS3E G
说明	功率MOSFET   3.3mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	325 [库存更新时间：2025-04-03]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4785pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	30V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.1V @ 105µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	57.5nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	40A
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5mΩ
栅极电压Vgs	25V
Qg-栅极电荷	57.5nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	69W
高度	1.10mm
长度	3.3mm
系列	OptiMOSP3
FET类型	P-Channel
正向跨导 - 最小值	30S
下降时间	8ns
上升时间	46ns
典型关闭延迟时间	35ns
典型接通延迟时间	16ns